纳米硅指尺度几纳米到几十纳米的晶化硅颗粒组成的固态材料,该文对纳米硅薄膜的微结构作了系统的研究.对纳米硅颗粒的晶化特征进行......

氮化硅凭借优良的化学性能与物理性能,在科技探索的不同层面得到了高度应用,原有的LPVCD制作形成的氮化硅膜即便性能较强,但却在制......

在薄膜沉积工艺中,沉积薄膜的均匀性与沉积速率主要受到PECVD(等离子辅助化学气相沉积)腔室气流与温度分布特征的影响.因此,仿真研......

用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜-SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55......

ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜具有显著不同α－Ｓｉ：Ｈ与μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ与掺磷ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ膜的沉积机理，并提出了进一步改善膜......

用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜。Ｘ－光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ经超过化学计量比。ｎ－Ｓｉ和ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ的表面光电压谱显示，ＳｎＯ２薄膜的处......

多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为一种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半......