采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５￣２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８￣２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达......