P型微晶硅薄膜相关论文
本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、TMB掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量对p型微晶硅......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电......
以B(CH3)3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH3)3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜......
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