RESURF技术相关论文
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700伏.本文借助二维器件模拟软件MEDI......
综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS.......
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用DoubleRESURF技术和场板技术,耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDI......
BCD技术是功率集成的最重要的技术。第一代BCD技术是20多年前由ST公司开发出来的。其特点是将硅平面工艺应用的功率集成上,将控制......
GaN材料是近20年来发展非常迅速的第三代半导体材料。GaN材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和速度大、导热性好、耐高温以及......
单片式智能功率集成电路具有成本低、体积小、工作稳定等诸多优点,自20世纪90年代中期问世以来已得到广泛应用。功率半导体器件是......
通过Silvaco TCAD软件,对DDDMOS进行工艺仿真,形成漂移区长度为2μm的DDDMOS器件结构;在这个基本结构上,通过减小gate尺寸来缩小整......
