RF溅射相关论文
LaNi_5是一种研究最活跃的储氢材料,同时LaNi_5薄膜在氢分离、氢电池和氢探测器等领域内呈现出较有希望的应用前景.国外对此已经开......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
采用分步偏压溅射法，在Ｓｉ（１００）衬底上制备了高质量的ＳｉＣ薄膜．傅里叶红外（ＦＴＩＲ）光谱测试表明，分步偏压法不仅有利于提高ＳｉＣ薄膜的生长速率，同时也有利于ＳｉＣ薄膜......
基片温度低于溅射外延条件，采用低溅射功率密度磁控溅射沉积，进行后期热处理结晶晶化，制备出膜厚为３００ｎｍ的掺铈钇铁石榴石Ｃｅ：ＹＩＧ磁光薄膜。对热处......
用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学......
ＺｎＯ薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用ＲＦ磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为７．５×１０－３Ωｃｍ；可见光透射率......
采用分步偏压测射法，在Si（100）衬底上制备了高质量的SiC薄膜。傅里叶红外（FTIR）光谱测试表明，分步偏压法不仅有利于提高SiC薄膜的生长速......
以氧化铝锌陶瓷为溅射靶材，在氩气环境下，使用射频溅射法在玻璃基片上制备氧化铝锌（ZAO）薄膜。通过调节气体压强、基片温度、溅射功率......
