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本文在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能主要是跨导的影......
IBM与佐治亚理工学院联合研究成功冰冻Si芯片能提高芯片工作速度。他们将基于Si的芯片，通过将电路“冰冻”在零下451℃下，使电路在50......
基于近几年的文献报道，综述了110GHz以上固态功率放大器的现状和电路结构。归纳了每个固态放大器的工作频率、制作工艺、最大输出功......
在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响......
以移动电话和无线局域网(WLAN)为首的无线应用产品,正在急速向高频宽带发展.尤其是在WLAN数字无绳电话等领域,以往一直是2GHz带宽,......
阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。......
当前大多数Thunderbolt接口都是采用SiGe器件，不仅集成度低而且功耗大，增加了线缆的总体成本。采用最新工艺的下一代器件将有望解决......
