SOI新结构相关论文
SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化,但一般SOI结构是以SiO作为绝缘埋层,导致一些不利的影响(如自加热效应等),限制了其应用,为......
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探......
探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。传统SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层，由于氧化硅的低热导率而使SOI器件／电路存在自加热......
集成电路从微电子发展到微纳电子时代,SOI技术以其优于体硅的高性能、全集成、低功耗、低成本的诸多优势成为取代现有体硅材料的核......
