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期刊

X射线衍射掠入射衍射硅碳化硅固源分子束外延 XRD GID Si SiC SSMBE

SiC薄膜的SSMBE外延生长及其结构表征

SiC作为第三代宽带隙半导体材料，因具有优异的物理化学性能，在高温、高频、高压、大功率的电子器件以及光电子器件等应用领域中占有......

学位

SIC 半高宽 SSMBE 量子阱结构晶格失配摇摆曲线外延生长 SiC 同质异构结构表征

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