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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应,这种结构可以通过在源区形成一个浅的n^+-p结和二......
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