近年来，氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)后，受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料，ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37e......

我们利用分子束外延(MBE)在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜，为消除ZnO与Si衬底材料之间由于热胀系数不同所造成的薄膜裂痕，生长的温度设定......

利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研......