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Si-IGBT+SiC-SBD混合模块相关论文
应用于Si-IGBT+SiC-SBD混合模块的栅驱动电路设计
碳化硅器件凭借着更高的工作温度范围、更小的导通电阻和更低的开关损耗等优点在功率电子应用中正逐步取代传统的硅基器件。新一代......
学位
Si-IGBT+SiC-SBD混合模块
电流振荡
栅驱动电路
电流过冲
开启损耗
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