碳化硅器件凭借着更高的工作温度范围、更小的导通电阻和更低的开关损耗等优点在功率电子应用中正逐步取代传统的硅基器件。新一代“Si-IGBT+SiC-SBD”混合模块实现了器件性能和成本之间的最优折中,但是传统的栅驱动技术,无法解决其在开启过程中产生长时间电流振荡的问题。因此,亟需设计出一种可以抑制混合模块开启电流振荡的栅驱动电路。本文对混合模块的开关特性进行了深入研究,分别对混合模块中的硅基IGBT和碳化硅续流二极管两个部分进行了详细分析,指出产生该电流振荡的根本原因是碳化硅二极管相比于传统的硅基二极管具有较大的耗尽层电容和较小的串联电阻,在反向恢复时其产生的电流振荡将表现出低衰减、低阻尼的特性且难以得到有效抑制。针对该问题,本文提出了一种新型的闭环有源栅驱动电路,通过对混合模块在开启过程中dVGE/dt和d(diC/dt)/dt的检测,实现对该电流振荡产生时间的判断,并以该时间作为依据,通过降低IGBT的栅极驱动电流增大IGBT的导通电阻的方式,增加振荡回路的衰减电阻,加快振荡的衰减速度,同时在开启过程中分别对IGBT集电极电压dvC/dt和电流梯度diC/dt进行调制,最终达到在不牺牲电流过冲和开启损耗的前提下有效抑制电流振荡的目标。本设计基于0.5μm600V的薄膜SOIBCD工艺进行版图绘制、流片和测试。结果表明,相对于传统栅驱动电路,本文设计的电路对混合模块在开启时的电流振荡进行了有效抑制,其振荡时间仅为传统驱动电路的38.7%,同时该电路对于电流过冲和开启损耗的降低效果也很明显,相对于传统驱动电路其分别减少了 33.4%和21.3%,达到了预期的设计目标。