SiGeBiCMOS相关论文
本文基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,采用分布式结构设计了一款工作在2～20 GHz的宽带低噪声放大器。在Cascode结构的基础上引入负阻抗......
SiGe BiCMOS工艺将传统CMOS工艺低成本、高集成度的优势与SiGe工艺出色的射频（RF）性能相结合,已广泛应用于毫米波和亚毫米波市场。该......
近年来,人们对空间探索工作的飞速开展,在空间辐射环境中运行的航天器也越来越多,对能长期工作于辐射、极低温等恶劣极端环境中的......
随着微波毫米波集成电路技术的进步,有源相控阵雷达技术也在不断的发展。T/R（Transmit/Receive）组件作为相控阵雷达中的关键部件,其......
采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种激光驱动器。为了获得良好的性能,该驱动器采用差分放大器和源极跟随器分别进行信号......
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性, 选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760......
介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS的整数N频率综合器.通过采用不同工艺来实现不同模块,实现了一个具有良好的杂散和相噪性能的高......
介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的......
采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体(Bi CMOS)工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和......
大数据、物联网(IOT)、多媒体、云计算等应用的兴起,促使着人们对数据通信信息量的需求成指数级增长。这要求数据通信速率、距离、......
基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功......
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V......
针对WLAN 802.11a/ax频段和未来第五代移动通信5GHz以上应用,设计了一款5-6GHz的低噪声放大器（LNA）,其工艺基于IBM 0.18μm SiGeBiCM......
随着高速混合信号电路的发展,信号的时序对整体系统日渐产生着至关重要的影响。因此,设计电路时常需要添加若干延时单元,用于产生......
学位
经过二十年的发展，SiGeHBT技术已经广泛应用于微波／射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高，其次是它与硅工艺完全兼容，......
