采用常压化学气相沉积法(APCVD),以有机金属化合物-单丁三氯化锡(C4H9SnCl3,MBTC)和三氟乙烯(CF3COOH,TFA)为前驱物和掺杂剂,以水......

用喷镀法将 Sn Cl4溶液喷射到预先加热的玻璃表面 ,制成了薄膜电阻 88% ,热稳定性...

采用喷镀法制备SnO2膜导电玻璃,研究了膜厚、基底温度对薄膜电阻和透光率的影响.用SEM、XPS和XRD分析了SnO2膜的形貌与导电性能,并......

采用溶胶-凝胶方法制备了SnO2掺杂Sb的透明导电膜(简称ATO膜),并讨论了掺杂量和热处理条件对膜可见光透过率及膜电阻率的影响,用XR......

采用常压化学气相沉积法（APCVD），以有机金属化合物-单丁三氯化锡（C4H9SnCl3，MBTC）和三氟乙烯（CF3COOH，TFA）为前驱物和掺杂剂，以水为催化剂，在......

在500℃石英玻璃管基质上,化学气相沉积法制备Sb搀杂氧化锡SnO2膜,并应用于实验室精馏塔柱.研究了元素搀杂量、镀膜温度和退火处理......