TFT器件相关论文
近年来,低温多晶硅薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)被广泛应用在平板显示领域,实现像素矩阵与驱动电路的板上集成。然而在实......
器官的薄电影晶体管(OTFT ) 基于 poly (3-hexylthiophene )(P3HT )/Zinc 氧化物(ZnO ) nanorods 活跃的层被水花涂层准备的合成电......
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
本文采用溶胶凝胶法成功制备了HfO2-ZITO TFT和Al2O3-ZITO TFT.同时对HfO2和Al2O3薄膜的基本特性包括表面性能,结晶性能,介电常数......
采用脉冲直流溅射的方式制作自对准顶栅结构a-IGZO TFT，研究退火处理对膜层及器件电学特性的影响。实验结果表明，在有源层图形化......
a-Si TFT有源矩阵液晶显示器因其性能可与CRT相媲美而成为平板显示技术的主流.进行TFT-LCD技术的研究和开发,具有十分重大的社会效......
薄膜晶体管在有源矩阵寻址液晶显示器(AMLCD)中处于关键地位,它的研发历来是该领域研究中的重点。非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)易......
对TFT器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了TFT器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体(如H2、Ar)对......
利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
有机发光器件（OLED）具有薄而轻、低电压、低功耗、高亮度、快速响应、宽视角、高对比度、彩色显示等许多优点。被认为具有非常发展前......
对ＴＦＴ的栅线及阵列缺陷的表现及成因进行了分析。在实际工艺过程中避免这些缺陷有利于提高器件成品率，改善显示质量。......
采用磁控溅射的方法制备Ｃｒ、Ｔａ、ＡＩ、Ｍｏ、ＭｏＷ等金属薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ四探针法等分析手段分析了薄膜性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体......
三星电子公司开发了三次套刻工艺来制造TFT器件。一般TFT制造采用四次或五次套刻工艺来完成。采用三次套刻工艺后，比四次套刻工艺不......
通过原电池反应模型模拟,研究了TFT器件过孔腐蚀的机理。从材料的选择、过孔的形貌、金属间界面及表面防护四个方面,提出了提升过......
