Full-in-cell（FIC）产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching（RIE）模式干法刻蚀设备进行N＋Etch时,氯的化合物会吸附......

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷......