Zn1-xNixO相关论文
采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表......
采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表......
利用溶胶-凝胶法制备了一系列的稀磁半导体材料如Zn1-xNixO、n1-2xMnxNixO及Zn1-2xCoxNixO晶体粉末,通过震荡样品磁强计(VSM)、X射线......
本文主要考虑不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响。采用水热法,以3 mol/L NaOH作为矿化剂,在240℃下,保温24 h左......
本文采用沉淀法分别在不同温度制备了名义组分为Zn1-xCuxO和Zn1-xNixO(x=0.01,0.02,0.04)的系列稀磁半导体块材样品,并对样品的结构......