用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅ结构。由吵感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子 为发光层的ＺｎＳｅｐｎ二......

用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Z_(n1-x)Cd_xSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构......