ZnO单晶相关论文
ZnO 作为第三代宽禁带半导体,提升其光电特性一直是研究ZnO 的一个热点问题。本文研究了准分子激光辐照ZnO 单晶后,单晶的结构、表......
Defects in Sb implanted Zn O single crystals have been studied by using photoluminescence(PL) spectroscopy,X-ray diffrac......
Ⅱ-Ⅵ族化合物CdS和ZnO是常见的宽带隙半导体,具有重要的光电应用。它们具有较小的自旋轨道耦合能,有望获得较长的自旋弛豫时间。......
ZnO单晶是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV、激子束缚能高达60meV，在短波长发光二极管、紫外半导体激光器等......
用中子发生器上D-D反应的2.5 MeV中子辐照Co掺杂ZnO和对照样品纯ZnO单晶.室温下测量了样品的X射线衍射谱、光致发光谱和透射光谱.......
通过结合纳米压痕和偏振拉曼散射技术对压应力影响下ZnO单晶晶格出现的变化进行了研究。位错的滑移是导致ZnO单晶中出现多处塑性变......
基于声表面波（SAW）理论以及SAW谐振器的结构和工作原理,设计了一种基于声表面波（SAW）谐振式压力传感器。采用有限元软件COMSOL Multiph......
针对基于声表面波技术的射频识别系统工作原理,提出利用COMSOL软件进行ZnO单晶材料射频波标签特性研究,进行多物理域耦合建模与仿......
利用拉曼选择定则，设计了ZnO单晶的直角偏振几何配置。在室温下测量了ZnO单晶的各种振动模式的偏振拉曼散射光谱。与原先的文献相比......
利用陶瓷烧结基本理论以及高压烧结的特点对高压下ZnO晶粒快速生长的现象进行了分析,并结合拉曼光谱对高压下得到的ZnO晶体进行了......
ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮，因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方......
研究了化学气相传输法（CVT）生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理，分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的......
对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰，分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温......
通过低温压热的方法 ,在经过预先处理长满晶核的 SnO2导电玻璃基底上制备出具有高度取向的 ZnO亚微米棒阵列 .用扫描电子显微镜 (S......
氧化锌(ZnO)一直以来都是第三代半导体中的热门研究对象,它属于II-VI族直接带隙宽禁带半导体,在新型光电功能器件方面有很大的应用......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。为研究ZnO薄膜内部主要点缺陷，我们用（002）ZnO单晶与ZnO薄膜作对比，并进行了霍尔测......
基于有限元压电材料中表面波传播的有限元分析原理,利用有限元分析软件COMSOL对基于ZnO单晶材料的声表面波器件进行多物理域耦合建......
研究了ZnO-C体系化学气相法生长ZnO单晶的Zn、CO、02、CO2、ZnO气体热力学平衡过程，计算发现主要气相物种为Zn，CO0分析了Zn和CO在N2，A......
采用MoO3、V2O5和PbF2为助熔剂,在坩埚下降法生长炉中研究了ZnO的析晶行为和晶体生长。结果表明,对于MoO3-ZnO高温溶液体系,下降或......
本文采用波长248nm准分子激光对ZrO2、ZnO和SrTiO3三种单晶进行辐照，分析了激光能量密度、激光脉冲个数和气氛等工艺参数对单晶表面......
用分子束外延(MBE)的方法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO单晶薄膜和BexZn1-xO合金薄膜。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明......
氧化锌作为继GaN后出现的短波长直接带隙氧化物光电半导体材料,具有与GaN相似的晶体结构和能带结构,而且其激子能(室温下为60 meV)......
