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ZnO基合金薄膜及ZnCdO/ZnO量子阱的结构与光学性能研究
ZnO的禁带宽度为3.37eV和激子束缚能为60meV,是制备半导体发光二极管和激光器的理想材料。ZnO基器件设计的一个重要步骤是实现其能......
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ZnO薄膜
ZnCdO合金薄膜
ZnSO合金薄膜
量子阱
光致发光
ZnO稀磁半导体
脉冲激光沉积
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