a-c:H薄膜相关论文
选用体积分数为99.999 9%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了a-C;H薄膜.利用傅里叶变换......
采用直流的反应磁控溅射技术,以高纯石墨为溅射靶材和CH4为反应气体,调节CH4流量,在p（100）单晶硅和不锈钢基底上成功制备出系列的含......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在Si（111）基底上制备a-C：H薄膜,利用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对a-C：H薄膜的表面形......
含氢非晶碳(a-C:H)薄膜主要由SP3C、SP2C和H 3种'元素'组成,在它们的三元相图中,a-C:H薄膜具有特定的组成区域.由于IR分析......
利用液相电沉积的方法,从乙腈中在硅片上沉积非晶碳薄膜,首次发现了电流密度随反应时间呈波动变化的规律.红外光谱和拉曼光谱分析......
