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一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型
从数值解源端和饱和点的表面电势出发,考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间......
期刊
深亚微米器件
模拟电路
SOI
MOSFET
模型
devicemodel
deepsubmicrondevice
SOIMOSFET
analogcircui
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