common-gate相关论文
设计了一种基于TSMC 0.18 pm CMOS工艺的高增益,低功耗共栅结构的超宽带低噪声放 大器.利用串联电阻和电感与晶体管的自身跨导共同......
基于SMIC 0.181μm CMOS工艺,设计一款可用于1GHz-2GHz射频接收机前端的低噪声放大器。放大器利用共栅结构实现输入阻抗匹配,采用......
