GaN是一种典型的宽禁带半导体,一直是凝聚态物理和材料物理研究的重点。GaN通过掺杂可实现n型或p型导电,以及不同波段包括可见光和......

本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......

在金刚石（ 0 0 1） 基底上, 在4 0 0℃、 6 0 0℃和9 0 0℃温度条件下外延生长高质量的c -B N薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程......

采用脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备出可见光发光良好的氧化锌薄膜,在不同的温度下进行了后退火处理.随着退火温度的升高,薄膜......

氧化锌是一种宽禁带半导体，在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是P型氧化锌很难得到，其中一个原因在于本征氧化锌n......