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n-A1GaN相关论文
日本低阻值的n-A1GaN,电光转换效率提升15%
日本名城大学和名古屋大学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝稼(n-AlGaN)。通过将n-AlGaN作为紫外LED的一部分,研究人员成功......
期刊
电光转换效率
n-A1GaN
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外延生长
名古屋大学
低阻
阻值
氮化铝
缓冲层
多量子阱
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