n-MOSFETs相关论文
在最大衬底电流条件下 (Vg=Vd/ 2 ) ,研究了不同氧化层厚度的表面沟道 n- MOSFETs在热载流子应力下的退化 .结果表明 ,Hu的寿命预......
本文借助氩离子（Ａｒ＾＋）背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓＳｉ／ＳｉＯ２界面附近剩余机械应力。结果表明：ＮＨ３氮化及Ｎ２Ｏ生长的氧化物－硅界央附近均存在较大......
对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ 的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｌｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝ ０．５ＶＤ 的应力条件下呈现最大．通过对......
