n-on-p相关论文
采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探......
用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1......
采用ICP刻蚀（inductively coupled plasma etching）工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As......
