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超深亚微米n沟道Si-MOSFET栅介质击穿的蒙特卡罗模拟
目前,MOSFET的沟道长度已经缩短到超深亚微米级.为了将新的物理效应考虑进去,必须完善和改进MOSFET的数值模型.本文的重点是对栅介......
学位
超深亚微米
Si-MOSFET
栅介质击穿
蒙特卡罗
n-沟道
散射
量子效应
n—和p—沟道MOSFET的漏极雪崩热载流子寿命模型
...
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