p+深阱掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

p+深阱掺杂相关论文

90nm CMOS工艺下p~+深阱掺杂浓度对电荷共享的影响

基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电......

期刊

电荷浓度双极晶体管电荷共享单粒子效应 p+深阱掺杂双极晶体管效应 PMOS NMOS TCAD

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