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p型ZnO单晶薄膜相关论文
分子束外延及离子共注入技术制备p型ZnO单晶薄膜
ZnO是属于Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带氧化物半导体材料,具备直接带隙的性质。ZnO能否实现作为可持续发展光电材料的广泛应用的关键是制备良好......
学位
p型ZnO单晶薄膜
射频等离子体辅助分子束外延
离子注入
原位退火
高温高压退火
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