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In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
在国产CBE设备上,用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs/InP应变多星子阶P-i-N结构材料,阶层......
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