β-C3N4相关论文
C3N4 films have been synthesized on both Si and R substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) metho......
提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－ C3N4,P－ C3N4 或 － (C2N2)n－的最可能表面反应 ,然后通过求解......
报导了用脉冲激光诱导液-固界面反应法来制备碳氮纳米晶体,通过扫描电子显微镜和高分辨电子显微镜分析高能脉冲激光诱导石墨-液氨......
采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、700℃以上的温度条件下热处理5h......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C3 N4薄膜 .计算了α C3 N4和β C3 N4单相X射线谱的峰位和强度......
期刊
C3N4 films have been synthesized on both Si and Pt substrates by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) meth......
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)法 ,用高纯氮气 (99.999% )和甲烷 (99.9% )作反应气体 ,在单晶硅和多晶铂基片上沉积 ......
采用ＬＭＴＯ能带法计算了β－Ｃ３Ｎ４晶体的能带结构和静态特性参数，对于平衡晶格常数，体模量，结合能和能带结构的计算结果与从头算赝势方法较接近；原子......
采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体，在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４，接近Ｃ３Ｎ４的化学比；Ｘ射线衍射......
本文采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法，用高纯敢（９９．９９９％）和甲烷（９９．９％）作反应气体，在单晶硅多晶铂基片上沉积β－Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析了这种晶态Ｃ＝Ｎ膜的化学......
采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、700℃以上的温度条件下热处理5h......
利用非平衡磁控溅射法，用一对石墨溅射靶，以N2，Ar为工作气体，在Si（1 0 0）衬底上溅射生长CNx薄膜.X光电子能谱分析表明薄膜中的C，N原子以sp......
理论分析认为β－Ｃ３Ｎ４可能是一种比金刚石还要硬的材料，它的研究成为当今材料科学的一个热点。文章论述了β－Ｃ３Ｎ４问题的由来和研究进展，以及今后......
βＣ３Ｎ４材料的研究是继非晶、准晶及Ｃ６０之后，凝聚态物理与材料科学领域中又一新的研究热点．βＣ３Ｎ４是一种新型假想材料，理论上预言它可能具有可......
β－Ｃ３Ｎ４的理论预言发表之后，经过广大科学工作者近１０年的努力，已经取得了一些重要的进展，理论上对碳氮化合物的研究已经更为广泛和深入。实验......
采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、650℃以上的温度条件下热处理4h......
利用微波等离子体化学气相沉积系统,以甲烷、氮气和氢气作为气源,在Si(100)衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜,并对两种衬底温度下......
