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γ瞬时电离辐射相关论文
瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响
对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现......
期刊
BIMOS
集成运算放大器
γ瞬时电离辐射
扰动时间
剂量率
BiMOS op-amp γ ionizing irradiation disturbance d
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