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We have studied the optical and magnetic properties of ytterbium implanted GaN epilayer grown on(0001)sapphire by metalo......

以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料。作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后......

利用等离子辅助分子束外延系统研究了生氏在硅（111）衬底的氮化镓pn结，并将其应用于光学器件．硅和镁分别用做n和p掺杂，反射高能电子衍射......