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Ⅲ族氮化物材料是直接带隙半导体,其带隙宽度从0.7eV(InN)到6.2eV(AlN)连续可调,发光范围从近紫外到红外,覆盖了整个可见光波段,是制备......
用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al ......
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器.本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立......
用自组装的氨源分子束外延(NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)系统在CD面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGan/GAN二......
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的......
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