WO3 是n 型半导体材料，具有较窄的禁带宽度(约2.8 eV)及稳定的化学性质，无毒性.将其与还原态的氧化石墨(rGO)进行复合，能够显著提高复......

采用电子陶瓷工艺，在较低烧结温度（150～300℃）下，利用微米级颗粒WO3与纳米级颗粒WO3制备了两种WO3与超高分子量聚乙烯（UHMWPE）复合材料。......

为提高WO3的气敏性能，采用水热合成法，以钨酸钠（Na2WO4．2H2O）和多壁碳纳米管（MWCNTs）为原料，合成多壁碳纳米管与三氧化钨（MWCNTs—W03）复合材......

阐述了TiO_2与WO3掺杂的理论依据和研究意义、TiO_2-WO_3复合介孔材料的应用,分析了煅烧温度对TiO_2-WO_3的影响。指出TiO_2与WO_3......

研究了助催化剂三氧化钨（WO3）对电解二氧化锰（EMD）催化性能的影响。通过球磨制备5种WO3含量的EMD复合催化剂，进行XRD、SEM和电化学性能......

以壳聚糖（CS）为辅助材料,利用层层自组装方法（LbL）制备了WO3复合薄膜材料（CS/WO3）.采用紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）、扫描电子显微镜（SEM）和循......