与时间有关的介质击穿(TDDB) 相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

与时间有关的介质击穿(TDDB)相关论文

高温氢气退火提高硅片质量的研究

研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层......

期刊

高温氢退火氧沉淀晶体原生颗粒(COP) 氧化层错与时间有关的介质击穿(TDDB) high temperature annealing in hydrog

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