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二维电子气限域性相关论文
InAlN/InGaN/(Al)GaN双异质结材料生长与特性研究
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料及2DEG具有优越的电学性能,使得GaN基高电子迁移率晶体管在抗击穿、耐高温及微波功率器件应用方面极具潜......
学位
金属有机物化学气相淀积
InGaN沟道
双异质结构
二维电子气限域性
高电子迁移率晶体管
图形化蓝宝石衬底
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