二维电子气面密度相关论文
设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟......
设计并采用优化的MBE工艺制备了GaAsPHEMT结构材料，运用非接触霍尔、霍尔等测试方法研究了影响p。和ns的主要因素，优化了OaAs基GaAsP......
设计并使用分子束外延（MBE）方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAsPHEMT外延材料，采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异......
