位错生长相关论文
利用原子力显微镜对硫脲硫酸锌(ZTS)晶体(100)面进行扫描实验,观察到不同形式的台阶推移过程。实验发现:螺旋台阶及其所形成的生长......
使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有......
本文研究了重掺锑硅单晶管道的性质和克服管道问题的方法。改用[100]晶向,可靠地消除了管道。制管试验表明,[100]晶向单晶可部分地......
实验测量了用CZ法生长硅单晶时(dT/dx)_(s-L)与热系统结构的关系。△T-x曲线呈非线性。指出了曲线斜率发生较大变化的a点的位置在......
长期以来 ,晶体生长机理的研究大多是间接的理论分析。原子力显微镜具有原子、分子级分辨率且能在溶液等环境下工作 ,为我们提供了......
利用分子动力学方法模拟研究了金刚石压头压入Ni薄膜(111)晶面的纳米压痕过程中薄膜进入初始塑性后的纳观机制,采用中心对称参数(C......
本文介绍了实时观察方法研究ＣｄＩ＿２晶体的水溶液生长的实验系统和实验结果。通过对ＣｄＩ＿２晶体的螺位错生长过程中，台阶运动过程及台阶稳定性的实......
在４．５～５．０ＧＰａ，１５００～１８００℃范围内，对在Ｌｉ基复合氮化物或氮硼化物的催化体系中以及其中添加Ｌｉ８ＳｉＮ４后合成ｃＢＮ进行了研究，探讨了ｃＢＮ晶体的表面构造和生长机制，研究了由六方氨......
利用VLS法制备了AlN晶须，观察了诸如生长“小山”、堆垛等各种晶须形态．对AlN晶须的取向进行了研究，发现了一些不同于密排面的生长面，......
用相差显微镜和诺曼斯基干涉术买时研究了ATMB晶体生长表面形貌和台阶运动的演变过程.将计算机图象自动处理系统引入晶体生长台阶......
利用全息相衬干涉显微术研究了金属枝蔓晶的生长．对传统的三电极电解池进行改装，使其适用于激光全息实时研究．研究了由离子迁移扩散而......
以AIN粉体为原料，加入适量的CaO-B2O3矿化剂，采用升华再结晶法制备AIN晶须．初步探讨了反应器及其合成温度对产物种类的影响，研究了晶须......
旋转的悬浮区熔硅晶体的外部生长特性通常是正直的圆柱状。然而,向上的区熔的[111]无位错晶体,有时从圆柱状显示一个脊状的突出。......
用大型金相显微镜观察了高温溶液生长的五磷酸镧钕(NdLaPP)晶体的表面特征。这些特征是:晶面花纹、生长丘、邻位面和铁弹畴。实验......
本试验研究了影响位错密度的因素,对低位错热场进行了分析。讨论了晶向、直径和生长速率对位错密度的影响。通过静态与动态热场的......
过去三十年来,直拉法和悬浮区熔法一直支配着硅材料的生产,因为悬浮区熔并不与任何物质接触(生长室的气氛除外),因此比直拉锭条更......
本文采用正籽晶、平置小内径线圈工艺成功地制备了φ76.2mmFZ〈100〉晶向单晶硅,研究了单晶生长机理与工艺。产品纯度高、质量好,......
通过对40℃时、不同pH值和不同过饱和度下磷酸二氢钾(KDP)晶体{100}面生长的原子力显微镜(AFM)的非实时研究,发现在低过饱和度下,{......
