GaN材料由于具有大的禁带宽度、高的击穿场强、以及异质结材料结构中存在的由较强自发极化和压电极化效应而产生的高面密度和高迁......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......