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低电压闪存器件相关论文
与CMOS工艺兼容的低电压Flash器件及工艺研究
FlashMemory器件尺寸不断减小,要求低的工作电压。降低Si-SiO2势垒是降低栅工作电压的可行办法。 本论文采用反应离子刻蚀(RIE)......
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低电压闪存器件
隧穿氧化层
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