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AT&T开发的0.35μm工艺器件内部多层布线技术
AT&T贝尔研究所开发评价了0.35μm工艺器件的多层内部布线新技术。本技术内容为:介质股平坦化用的光致抗蚀剂背腐蚀,为层间介质膜整体......
期刊
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