光导器件相关论文
针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结，并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺......
本文研究了氮化镓光电导器件中的持续光电导现象,并利用变化调制频率的方法测量了在不同强度下的光电导响应时间.实验发现,器件的......
本文通过实验结果和理论分析得到了探测器的电阻与温度的关系曲线以及不同电流（电功率）下的电阻与电流的曲线，并用一维稳态模型计算了......
建立了一套碲镉汞薄晶片加工过程中的少子寿命面分布自动检测系统，用于碲镉汞多元光导器件制备工艺生产线，获得了１８０元器件性能分布同薄......
Ar束溅射沉积技术实现了HgCdTe表面钝化介质CdTe、ZnS的低温生长。对材料的各项性能指标进行了实验分析，通过介质膜对n-HgCdTe光导......
利用Ar束溅射沉积技术进行了CdTe介质膜对n-HgCdTe光导器件进行了表面钝化。对器件的性能分析结果表明：这里得到的cdTe／HgCdTe界面质......
氢化(hydrogenation)或氢钝化(hydrogen passivation)在Si和GaAs材料的工艺中已经得到了广泛的研究和应用，其基本原理是利用活性很......
该文对三苯胺类载流子传输材料的合成以及它们的性能表征进行了系列的实验研究,主要成果如下:1.合成了单甲醛三苯胺, 三苯胺甲醛二......
光导器件稳定性测量在工程中有着广泛的应用前景。本文提出一种软硬相结合的光导器件稳定性测量方法,以单片机为核心构建了信号处......
本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认......
功能分离型光接受体系是由载流子产生层（ＣＧＬ），载流子传输层（ＣＴＬ）和载流子阻挡层（ＵＣＬ）组成的一种多层光接受体系，本文合成了一系列载流子传输层材料，如......
提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及......
本文介绍了采用倒扣法来制作光导器件芯片的工艺方案。该方案具有工艺简单、成品率高、重复性好、光敏面的几何尺寸变化小，电阻值均......
将载流子产生与传输功能集成到一层的高性能正电性薄膜器件是新型激光有机光导体的发展趋势.由于成膜树脂、传输材料分子和载流子......
本文论述了电子工业部十一所６０元光导碲镉汞探测器实用化组件的最新技术进展，着重分析了影响探测器组件性能指标的诸多因素，并且首次发......
通过对少数载流子—维连续性方程的求解,实现对少数载流于光电导衰退过程的模拟,并通过对光电导衰退曲线的级数拟合,同时获得了HgC......
HgCdTe窄禁带半导体材料由于具有一系列优良的性质,是目前制备红外探测器的首选材料。HgCdTe光导型器件由于其制备工艺简单,器件成......
利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术实现了ＣｄＴｅ薄膜的低温生长，利用电化学方法进行了ＨｇＣｄＴｅ表面自身阳极氧化膜的生长，利用生工的ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ表在身阳极氧化膜对ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光......
利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累 中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理......
针对取得较好传感器技术而进行的基础研究的一个关键方面是改进红外焦平面阵列用的碲镉汞(HgCdTe)材料。由于HgCdTe包括的红外波......
早在1952年资料[1]就开始发表Ⅲ-Ⅴ族半导体InSb的研究报告,特别是单晶InSb在中红外区域里灵敏度高,大大提高了这种材料的应用价......
