用MOCVD方法生长了n＋－InP/n－InP/SI－InP材料，以HfO2为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅......

对用于光电集成（OEIC）的InP基异质结双极性晶体管（HBT）进行了分析，提出了一种新的集电区外延结构，该结构是在单HBT（SHBT）的集电区与次集电......

当今光通信正在向智能化、集成化、低成本和高可靠性的新一代光网络演进,其对光电器件的性能要求也越来越高。异质结双极晶体管(HB......