共蒸发法相关论文
采用真空共蒸发方法制备了CdSxTe1 -x 多晶薄膜 ,并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSxTe1 -x多晶薄膜的结构和......
用共蒸发法制备了Cu2Te多晶薄膜，并对刚沉积和退火后薄膜的结构、光学性质、电学性质作了表征。结果表明退火对薄膜的结构影响显著，......
用共蒸发法制备了CdZnTe薄膜.研究了蒸发速率、衬底温度对薄膜成分(x值)的影响.用XRD表征薄膜结构,通过其电导——温度关系的测量,......
研究了不同硒蒸发温度对蒸发法制备Cu2ZnSnSe4(CZTSe)太阳电池的影响,当Se温较低时,低的硒蒸发速率导致初始阶段Zn元素不易与Se反......
在MgO衬底上,利用共蒸发方法制备DyBa2Cu3O7作为缓冲层,再利用磁控溅射和后处理方法,制备了Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜.X射线衍射θ-2......
用真空共蒸发法在室温下沉积了Sb-Te 薄膜,在N2 气氛中进行573K 退火处理.用XRD 分析了薄膜的结构,用XRF 和XPS 分析了薄膜的组成.......
本文采用真空共蒸发法同时蒸发CdS和ZnS制备了Cd1-χZnχS多晶薄膜。通过XRD、荧光光谱分析和光学透过谱分析了CA1-χZrχS(χ=0.4......
采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y(0≤y≤1)多晶薄膜,并用X射线衍射谱(XRD)、能量色散谱(EDS)研究了CdSyTe1-y多晶薄膜的结构、组......
期刊
铜铟镓硒Cu(InGa)Se2(CIGS)太阳电池目前已经逐步实现产业化，但随着进一步发展将可能面临铟资源短缺的限制。铜锌锡硒Cu2ZnSnSe4(CZ......
铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(CZTS)因其带隙（约1.45eV）与太阳辐射匹配性好、光吸收系数高(＞104cm-1)、元素储量大等优点，受到人们越来越多的关注......
目前工业上制备铜铟硒材料最常用的方法是硒化铜铟预制膜，而铜铟镓硒最高效率的电池是用三步共蒸发的方法制备的铜铟镓硒材料。为此......
用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的......
采用真空共蒸发方法制备了CdSxTe1-x多晶薄膜,并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSxTe1-x多晶薄膜的结构和性质......
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe：Cu多晶薄膜。用XRD表征薄膜结构，刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构，高度（111）择优，重掺Cu的为......
采用真空共蒸发法制备了CdSyTe1-y（0≤y≤1）多晶薄膜,并用X射线衍射谱（XRD）、能量色散谱（EDS）研究了CdSyTe1-y多晶薄膜的结构、组分。实......
用共蒸发法在室温下沉积ZnTe:Cu多晶薄膜，刚沉积的不掺Cu的薄膜呈立方相，适度掺Cu时为立方相和六方相的混合相。随着Cu含量的增加，六......
用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜，薄膜结构属立方晶系空间群F43m^－，通过透射谱的测量，计算光能隙，得到室温时薄膜的光能隙随组分x值......
太阳能电池是利用太阳光生产电能的一种器件。近年来,随着太阳能技术的快速发展,工业生产规模不断扩大,太阳能电池产业得到了飞速......
采用三元共蒸发法制备CuInSe2薄膜,需要较精确的蒸发速率控制。对于电阻蒸发来讲,保持蒸发器电阻为恒定值,再通以恒定电流就可获得......
