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本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ（ＥｍｉｔｔｅｒＳｗｉｔｃｈｅｄＴｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域。从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其......
通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.......
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,......
按线性回归分析阐明了器件模型参数的萃取原理,例举了MOS器件一些参数的萃取过程,提供了参数萃取软件——PARAX程序。
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本文把在金属-半导体接触中同时存在着扩散和热电子发射这样两种互相串联的电流传输机构这一看法推广到了异质结。以GaAs-Ge为例进......
提出了在CMOS集成电路中单击事件闭锁的一个新理论。就截面和临界线性能量传输(LET)两个方面的温度效应进行了解释。闭锁有效截面......
讨论了一种提取GaAsMESFET小讯号等效电路参数的方法,本方法可直接决定外部和本征小讯号参数.所得到的等效电路的S参数计算值与测......
本文提出了一个适用于普通时域电路模拟程序的MESFET模型。模型参数的赋值是由实验数据或较细致的器件分析得来的。该模型比早期的......
重掺杂禁带变窄效应引起异质结导带、价带带阶的扰动,从而使突变HBT异质结界面势垒的形状和高度发生了变化,这将对电流传输特性产......
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