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卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤
主要研究锗离子在77K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果,并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱......
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卢瑟福背散射谱
红外干涉反射谱
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