刻蚀掩模相关论文
本文阐述了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模，扫描电镜结果发......
主要针对聚合物波导制备中的关键技术--刻蚀掩模,进行了系统的研究.以铝为例,利用原子力显微镜和光电子能谱,详细地分析并讨论了在......
U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影......
玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积（LPCVD）多晶硅、Cr／Au金属层＋光刻胶等，但往往会在玻璃中引入应力，影响后期应用（如阳极键合），而......
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