化学吸附能相关论文
本文应用Einstein和Schrieffer的化学吸附理论和复平面能量积分技术研究了紧束缚近似下原子(或分子)吸附在双过渡金属(纯净的和含......
运用格林函数方法,在紧束缚近似下讨论了一氧化碳在具有面心立方结构金属(NiPd,Pt)密排面上的化学吸附能随覆盖度θ的变化关系,并与实验......
本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能(ΔE)和衬底向吸附原子的电荷转移(Δq)。半导体衬底用一维半无限sp轨......
We performed density functional theory calculations of H, C, and O chemisorption on the UN(001) and(111) surfaces using ......
本文在紧束缚近似下,利用格林函数方法和ES化学吸附理论研究杂质对H在反担载催化剂ZnO/NiV表面化学吸附的影响。研究结果表明,微扰Δδ〈0的杂质......
本文采用Sulston等人发展的一维紧束缚半无限二元无序合金模型和格林函数方法,在相关势近似下利用Einstein-Schrieffer(ES)化学吸附理论。......
在紧束缚近似下,用相关势近似(CPA)和Einstein-Schrieffer(ES)单电子化学吸附理论讨论了CO在无序二元合金NixCu1-x,PtxNi1-x和PtxCu1-x......
采用格林函数(GF)方法和多重耦合自洽相干势近似(CPA)方法,研究了氢在Au—Ag多层偏析无序二元合金表面的化学吸附,详细地讨论了DBA表......
<正>The chemisorption energy of hydrogen on semiconductor/alloy composite substrates are investigated. (?)g the conplex-......
应用Green函数方法,计算氢在一组Ⅲ ̄Ⅴ族化合物的化学吸附能和衬底向吸附原子的电荷转移。结果标明,ΔE与半导体的禁带镀和表面指数密切相关......
采用格林函数方法和Anderson-Newns(AN)模型研究原子Pt在无序二元合金(DBA)表面的化学吸附能和电荷转移,其中普遍的去耦合方法被采......
本文采用Sulston等人所发展的一维紧束缚半无限无序二元合金模型和格林函数方法,分别利用相关势近似(CPA)和平均T矩阵近似(ATA)计......
采用Einstein-Schriffer化学吸附理论和复能积分技术在平均了矩阵近似(ATA)下计算了氢原子在无序二元合全(DBA)CuxAu1-x,,CuxPt1-x,NixAu1-x和NixPt1-x表面上的化学吸附能.计算结果表明:(1)H/CuxAu1-x和H/NixAu1-x系统的化学吸......
采用相干势近似(CPA)和Einstein-Schrieffer化学吸附理论计算了H原子在AuxAg1-x合金表面上的化学吸附能.计算结果表明,化学吸附能△E随......
在紧束缚近似下,采用ES模型和格林函数方法,通过对含杂Ni(100)表面CO分子顶位、桥位和心位化学吸附能的计算,讨论了替位杂质对Ni(100)表面CO化学吸附位置的......